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SuchezurückBeschreibungTechnische DatenDerating DiagrammLochspezifikationModifikationenVerpackungDownloadsLagerbestandsabfrage
flexilink b-t-b, 25 mm Bauhöhe Art.Nr. 990-52XNN250-110
Abbildung ähnlich
Parallel
Einpresstechnik
Power
Rugged
- 25 mm Bauhöhe
- für zweistufigen Einpressvorgang
- 1 - 3 Kontaktreihen
- Platz- & Kostenersparnis, ersetzt Abstandshalter
- Artikelnummerschlüssel: X = Anzahl der Reihen, NN = Polzahl / Reihe
- Für Anfragen kontaktieren Sie bitte unseren Vertrieb.
Technische Daten
Grundlagen
| Anzahl Kontakte | 2 - 90 |
|---|---|
| Anschlusstechnik | Einpresstechnik |
| Leiterplattenabstand | 25 mm |
| Betriebstemperatur | -40°C bis +125°C |
Material
| Isolierkörper | PBT |
|---|---|
| Kontaktmaterial | Kupferlegierung |
| Kontaktbeschichtung | Sn |
Mechanisch
| Rastermaß | 2.54 mm oder individuell bestückt |
|---|
Elektrisch
| Betriebsstrom | max. 11 A bei 20°C pro Pin (1x10 pol. Bauhöhe 15 mm) max. 7 A bei 20°C pro Pin (2x10 pol. Bauhöhe 15 mm) max. 6 A bei 20°C pro Pin (3x10 pol. Bauhöhe 15 mm) |
|---|---|
| Durchgangswiderstand | <5 mΩ |
| Luft- und Kriechstrecke | min. 0.44 mm / 0.57 mm (innerhalb der Reihe) min. 1.94 / 2.07 mm (zwischen den Reihen) |
Verarbeitung
| Bestückung | von Hand / halbautomatisch / vollautomatisch |
|---|
Zulassungen / Konformität
| UL file | E130314 |
|---|---|
| Umwelt | RoHS konform |
Derating Diagramm
Lochspezifikation
| Material | chem. Sn Leiterplatten |
|---|---|
| Nennloch | Ø 1.0 mm |
| A Leiterplattendicke | min 1.4 mm |
| B Endloch | Ø 1.0 +0.09 / -0.06 mm |
| C Grundbohrung | 1.15 ±0.025 mm |
| D Cu Schicht | min. 25 µm |
| E Oberfläche | chem. Sn Schicht, max. 1.5 µm |
| F Restring | min. 0.1 mm |
| Material | Ni, Au Leiterplatten |
|---|---|
| Nennloch | Ø 1.0 mm |
| A Leiterplattendicke | min 1.4 mm |
| B Endloch | Ø 1.0 +0.09 / -0.06 mm |
| C Grundbohrung | 1.15 ±0.025 mm |
| D Cu Schicht | min. 25 µm |
| E Oberfläche | Ni, Au Schicht, 0.05 - 0.2 µm Au über 2.5 - 5 µm Ni |
| F Restring | min. 0.1 mm |
| Material | rein Cu Leiterplatten |
|---|---|
| Nennloch | Ø 1.0 mm |
| A Leiterplattendicke | min 1.4 mm |
| B Endloch | Ø 1.0 +0.09 / -0.06 mm |
| C Grundbohrung | 1.15 ±0.025 mm |
| D Cu Schicht | min. 25 µm |
| E Oberfläche | OSP*, z.B. GLICOAT-SMD (F2) mit 0.12 - 0.15 µm |
| F Restring | min. 0.1 mm |
Schichtaufbau nach IEC 60352-5
Modifikationen
Auf Anfrage erhalten Sie von uns auch
- andere Bestückvarianten
Verpackung
Schüttgut oder Tray