DIN 41612 / IEC 60603-2

Beste Vielfalt - langjährig bewährt
Die ept-Produktreihe DIN 41612 / IEC 60603-2 umfasst 12 Grundbauformen sowie weitere ergänzende Versionen im Raster 2.54 mm bzw. 5.08 mm.
Es stehen sowohl Signalstecker mit einer Stromtragfähigkeit bis zu 1.5 A als auch Powersteckverbinder mit bis zu 5.6 A bzw. sogar 15 A zur Auswahl. Dieser Variantenreichtum ermöglicht den Einsatz der Steckverbinderfamilie in einem überaus breiten Anwendungsbereich. Die Standardisierung gewährleistet die Kompatibilität von Steckverbindern unter verschiedenen Herstellern.

zuverlässiges und bewährtes Stecksystem
Sonderbestückungen auch bei kleiner Stückzahl möglich
vor- und nacheilende Kontakte möglich
verschiedene Anschlusslängen verfügbar
umfangreiches Zubehör wie Shroud, Board-Lock, Kodierung
Schalterstecker für Daisy Chaining

Weitere Informationen zu DIN 41612

DIN 41612 Federleiste gerade Bauform C/2 Art.Nr. 304-79116-04

GRATIS Muster

Beschreibung Technische Daten Abmessungen Derating Diagramm Lochspezifikation

Abbildung ähnlich

Anschlusslänge 17 mm
mit Steckzone in Gütestufe 2
Polzahl 32
Einpresstechnik
Gütestufe 2

Weitere Informationen

Grundlagen

Spezifikation	IEC 60603-2 (DIN 41612)
Gütestufe	2
Anzahl Kontakte	32
Anschlusstechnik	Einpresstechnik
Anschlusslänge	17 mm
Leiterplattenabstand	16.85 mm
Betriebstemperatur	-55°C bis +125°C

Material

Isolierkörper	PBT glasfaserverstärkt, UL 94 V-0
Kontaktmaterial	Kupferlegierung

Mechanisch

Rastermaß	2.54 mm
Steckkraft	< 30 N
Ziehkraft pro Kontakt	> 0.15 N
Lebensdauer	400 Steckzyklen

Elektrisch

Betriebsstrom	1.5 A
Durchgangswiderstand	<20 mΩ
Luft- und Kriechstrecke	1.2 mm
Isolationswiderstand	>10⁶ MΩ
Prüfspannung	1000 V

Zulassungen / Konformität

UL file	E130314
Umwelt	RoHS konform

DIN C2 FL Zeichnung Abmessungen1 DIN C2 FL Lochbild

Details entnehmen Sie bitte der Kundenzeichnung unter Downloads oder wenden Sie sich direkt an ept.

Material	chem. Sn Leiterplatten
Nennloch	Ø 1.0 mm
A Leiterplattendicke	min 1.44 mm
B Endloch	Ø 1.0 +0.09 / -0.06 mm
C Grundbohrung	1.15 ±0.025 mm
D Cu Schicht	min. 25 µm
E Oberfläche	chem. Sn Schicht, max. 1.5 µm
F Restring	min. 0.1 mm

Material	Ni, Au Leiterplatten
Nennloch	Ø 1.0 mm
A Leiterplattendicke	min 1.44 mm
B Endloch	Ø 1.0 +0.09 / -0.06 mm
C Grundbohrung	1.15 ±0.025 mm
D Cu Schicht	min. 25 µm
E Oberfläche	Ni, Au Schicht, 0.05 - 0.2 µm Au über 2.5 - 5 µm Ni
F Restring	min. 0.1 mm

Material	rein Cu Leiterplatten
Nennloch	Ø 1.0 mm
A Leiterplattendicke	min 1.44 mm
B Endloch	Ø 1.0 +0.09 / -0.06 mm
C Grundbohrung	1.15 ±0.025 mm
D Cu Schicht	min. 25 µm
E Oberfläche	OSP*, z.B. GLICOAT-SMD (F2) mit 0.12 - 0.15 µm
F Restring	min. 0.1 mm

Material	HAL Sn Leiterplatten
Nennloch	Ø 1.0 mm
A Leiterplattendicke	min 1.44 mm
B Endloch	Ø 1.0 +0.09 / -0.06 mm
C Grundbohrung	1.15 ±0.025 mm
D Cu Schicht	min. 25 µm
E Oberfläche	HAL Sn, 5 - 15 µm
F Restring	min. 0.1 mm