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hm2.0 unteres Schirmblech Bauform A Art.Nr. 244-11600-1

hm A FL Foto

Abbildung ähnlich

Rechtwinklig
Einpresstechnik
  • 22 Kontakte
  • Anschlusslänge 3.4 mm
  • für min 1.44 mm Leiterplattendicke
  • getestet nach IEC 61076-4-101
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Technische Daten

Grundlagen

SpezifikationIEC 61076-4-101
Gütestufe2
Anzahl Kontakte22
AnschlusstechnikEinpresstechnik
Anschlusslänge3.4 mm
Betriebstemperatur-55°C bis +125°C

Material

KontaktmaterialBronze

Mechanisch

Rastermaß2.0 mm
Steckkraft pro KontaktAbschirmung: max. 1 N
Ziehkraft pro KontaktAbschirmung: min. 0.15 N
Lebensdauer> 250 Steckzyklen

Elektrisch

Betriebsstrom1.5 A @ +20°C, 1.0 A @ +70°C
Durchgangswiderstandmax. 20 mΩ
Isolationswiderstandmin. 104 MΩ
Prüfspannung750 V r.m.s
Datenübertragung3.125 Gbit/s

Zulassungen / Konformität

UmweltRoHS konform

Lochspezifikation

lochspezifikationen bemassungen
Materialchem. Sn Schicht 
NennlochØ 0.6 mm
A Leiterplattendickemin 1.44 mm
B EndlochØ 0.60 ±0.05 mm
C Grundbohrung0.70 ±0.02 mm
D Cu Schichtmin. 25 µm
E Oberflächemax. 1.5 µm; chem. Sn Leiterplatten
F Restringmin. 0.1 mm
MaterialNi, Au Leiterplatten
NennlochØ 0.6 mm
A Leiterplattendickemin 1.44 mm
B EndlochØ 0.60 ±0.05 mm
C Grundbohrung0.70 ±0.02 mm
D Cu Schichtmin. 25 µm
E OberflächeNi, Au Schicht, 0.05 - 0.2 µm Au über 2.5 - 5 µm Ni
F Restringmin. 0.1 mm
Materialrein Cu Leiterplatten
NennlochØ 0.6 mm
A Leiterplattendickemin 1.44 mm
B EndlochØ 0.60 ±0.05 mm
C Grundbohrung0.70 ±0.02 mm
D Cu Schichtmin. 25 µm
E OberflächeOSP*,z.B. GLICOAT-SMD (F2) mit 0.12 - 0.15 µm
F Restringmin. 0.1 mm
MaterialHAL Sn Leiterplatten
NennlochØ 0.6 mm
A Leiterplattendickemin 1.44 mm
B EndlochØ 0.60 ±0.05 mm
C Grundbohrung0.70 ±0.02 mm
D Cu Schichtmin. 25 µm
E OberflächeHAL Sn, 5 - 15 µm
F Restringmin. 0.1 mm


Schichtaufbau nach IEC 60352-5

VerarbeitungVerpackungDownloadsLagerbestandsabfrage

Verarbeitung

Zange

Einpresswerkzeug für hm2.0 unteres Schirmblech 5 reihig
Artikelnummer 884-740-W2

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Verpackung

Tray
24 Stk / Tray
25 Tray / Box




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