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DIN 41612 VME 64x Federleiste Art.Nr. 306-61067-12
![DIN VME64x FL Foto](https://www.ept.de/data/media/84/8475_115x200x72x72x100_DIN_VME64x_FL_Foto.jpg)
Abbildung ähnlich
Rechtwinklig
Einpresstechnik
Rugged
![VME 64e FL Anschlusslaenge 4 6 Zeichnung](https://www.ept.de/data/media/98/9838_167x160x72x72x80_VME_64e_FL_Anschlusslaenge_4_6_Zeichnung.png)
![VME 64x einfach Belegung](https://www.ept.de/data/media/98/9844_212x160x72x72x80_VME_64x_einfach_Belegung.png)
- Anschlusslänge 4.6 mm
- Polzahl 160
- Einpresstechnik
- Gütestufe 1
- ohne Flansch
Technische Daten
Grundlagen
Spezifikation | IEC 61076-4-113 |
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Gütestufe | 1 |
Anzahl Kontakte | 160 |
Anschlusstechnik | Einpresstechnik |
Anschlusslänge | 4.6 mm |
Betriebstemperatur | -55°C bis +125°C |
Material
Isolierkörper | PBT glasfaserverstärkt, UL 94 V-0 |
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CTI Wert IEC 60112 | 200 |
Kontaktmaterial | Kupferlegierung |
Mechanisch
Rastermaß | 2.54 mm |
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Steckkraft | 160 N |
Ziehkraft pro Kontakt | > 0.15 N |
Lebensdauer | 500 Steckzyklen |
Elektrisch
Betriebsstrom | 1.5 A |
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Durchgangswiderstand | <20 mΩ |
Luft- und Kriechstrecke | abc ≥ 1.2 mm, zd ≥ 1.0 mm |
Isolationswiderstand | 104 MΩ |
Prüfspannung | 1000 V |
Zulassungen / Konformität
UL file | E130314 |
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Umwelt | RoHS konform |
Lochspezifikation
![lochspezifikationen bemassungen](https://www.ept.de/data/media/78/7821_174x150x0x0x0_lochspezifikationen_bemassungen.png)
Material | chem. Sn Leiterplatten |
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Nennloch | Ø 1.0 mm |
A Leiterplattendicke | min 1.44 mm |
B Endloch | Ø 1.0 +0.09 / -0.06 mm |
C Grundbohrung | 1.15 ±0.025 mm |
D Cu Schicht | min. 25 µm |
E Oberfläche | chem. Sn Schicht, max. 1.5 µm |
F Restring | min. 0.1 mm |
Material | Ni, Au Leiterplatten |
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Nennloch | Ø 1.0 mm |
A Leiterplattendicke | min 1.44 mm |
B Endloch | Ø 1.0 +0.09 / -0.06 mm |
C Grundbohrung | 1.15 ±0.025 mm |
D Cu Schicht | min. 25 µm |
E Oberfläche | Ni, Au Schicht, 0.05 - 0.2 µm Au über 2.5 - 5 µm Ni |
F Restring | min. 0.1 mm |
Material | rein Cu Leiterplatten |
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Nennloch | Ø 1.0 mm |
A Leiterplattendicke | min 1.44 mm |
B Endloch | Ø 1.0 +0.09 / -0.06 mm |
C Grundbohrung | 1.15 ±0.025 mm |
D Cu Schicht | min. 25 µm |
E Oberfläche | OSP, z.B. GLICOAT-SMD (F2) mit 0.12 - 0.15 µm |
F Restring | min. 0.1 mm |
Material | HAL Sn Leiterplatten |
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Nennloch | Ø 1.0 mm |
A Leiterplattendicke | min 1.44 mm |
B Endloch | Ø 1.0 +0.09 / -0.06 mm |
C Grundbohrung | 1.15 ±0.025 mm |
D Cu Schicht | min. 25 µm |
E Oberfläche | HAL Sn, 5 - 15 µm |
F Restring | min. 0.1 mm |
Schichtaufbau nach IEC 60352-5
Verarbeitung
Verpackung
Tube
30 Stk / Tube
12 Tube / Box