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SuchezurückBeschreibungTechnische DatenDerating DiagrammLochspezifikationModifikationenVerarbeitungVerpackungDownloadsLagerbestandsabfrage
hm2.0 Federleiste Bauform B22 Art.Nr. 244-22000-15
Abbildung ähnlich
Rechtwinklig
Einpresstechnik
- Polzahl 110
- Anschlusslänge 2.9 mm
- für min 1.44 mm Leiterplattendicke
- ohne Schirmung
- getestet nach IEC 61076-4-101
Zeichnungen
Weitere Informationen
Lieferzeit
Technische Daten
Grundlagen
| Spezifikation | IEC 61076-4-101 |
|---|---|
| Gütestufe | 2 |
| Anzahl Kontakte | 110 |
| Anschlusstechnik | Einpresstechnik |
| Anschlusslänge | 2.9 mm |
| Betriebstemperatur | -55°C bis +125°C |
Material
| Isolierkörper | PBT glasfaserverstärkt, UL 94 V-0 |
|---|---|
| CTI Wert IEC 60112 | 200 |
| Kontaktmaterial | Bronze |
Mechanisch
| Rastermaß | 2.0 mm |
|---|---|
| Steckkraft pro Kontakt | Kontakt: max. 0.75 N, Abschirmung: max. 1 N |
| Ziehkraft pro Kontakt | Kontakt: min. 0.15 N, Abschirmung: min. 0.15 N |
| Lebensdauer | > 250 Steckzyklen |
Elektrisch
| Betriebsstrom | 1.5 A @ +20°C, 1.0 A @ +70°C |
|---|---|
| Durchgangswiderstand | max. 20 mΩ |
| Luft- und Kriechstrecke | ≥ 0.6 mm |
| Isolationswiderstand | min. 104 MΩ |
| Prüfspannung | 750 V r.m.s |
| Datenübertragung | 3.125 Gbit/s |
Zulassungen / Konformität
| UL file | E130314 |
|---|---|
| Umwelt | RoHS konform |
Derating Diagramm
Lochspezifikation
| Material | chem. Sn Schicht |
|---|---|
| Nennloch | Ø 0.6 mm |
| A Leiterplattendicke | min 1.44 mm |
| B Endloch | Ø 0.60 ±0.05 mm |
| C Grundbohrung | 0.70 ±0.02 mm |
| D Cu Schicht | min. 25 µm |
| E Oberfläche | max. 1.5 µm; chem. Sn Leiterplatten |
| F Restring | min. 0.1 mm |
| Material | Ni, Au Leiterplatten |
|---|---|
| Nennloch | Ø 0.6 mm |
| A Leiterplattendicke | min 1.44 mm |
| B Endloch | Ø 0.60 ±0.05 mm |
| C Grundbohrung | 0.70 ±0.02 mm |
| D Cu Schicht | min. 25 µm |
| E Oberfläche | Ni, Au Schicht, 0.05 - 0.2 µm Au über 2.5 - 5 µm Ni |
| F Restring | min. 0.1 mm |
| Material | rein Cu Leiterplatten |
|---|---|
| Nennloch | Ø 0.6 mm |
| A Leiterplattendicke | min 1.44 mm |
| B Endloch | Ø 0.60 ±0.05 mm |
| C Grundbohrung | 0.70 ±0.02 mm |
| D Cu Schicht | min. 25 µm |
| E Oberfläche | OSP*,z.B. GLICOAT-SMD (F2) mit 0.12 - 0.15 µm |
| F Restring | min. 0.1 mm |
| Material | HAL Sn Leiterplatten |
|---|---|
| Nennloch | Ø 0.6 mm |
| A Leiterplattendicke | min 1.44 mm |
| B Endloch | Ø 0.60 ±0.05 mm |
| C Grundbohrung | 0.70 ±0.02 mm |
| D Cu Schicht | min. 25 µm |
| E Oberfläche | HAL Sn, 5 - 15 µm |
| F Restring | min. 0.1 mm |
Schichtaufbau nach IEC 60352-5
Modifikationen
Auf Anfrage erhalten Sie von uns auch
- Andere Kontaktbeschichtung
- Auch in THTR Technik
Verarbeitung
Verpackung
Tray
35 Stk / Tray
4 Tray / Box